casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S2GHE3/5BT
Número de pieza del fabricante | S2GHE3/5BT |
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Número de parte futuro | FT-S2GHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2GHE3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2GHE3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S2GHE3/5BT-FT |
ES2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel