Número de pieza del fabricante | S2B/54 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S2B/54 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2B/54 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2B/54 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S2B/54-FT |
ES2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel