casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29WS512R0SBHW200
Número de pieza del fabricante | S29WS512R0SBHW200 |
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Número de parte futuro | FT-S29WS512R0SBHW200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WS-R |
S29WS512R0SBHW200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 80ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (11.6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29WS512R0SBHW200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29WS512R0SBHW200-FT |
S29GL128N11FFA022
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N90FFAR22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128P10TFI0105
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128P10TFI0205
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel