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S29WS512R0SBHW200E Image

Cypress Semiconductor Corp S29WS512R0SBHW200E

Número de pieza de MFG
S29WS512R0SBHW200E
Cantidad disponible
40790 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Cypress Semiconductor Corp
Breve descripción
WS-R IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
S29WS512R0SBHW200E.pdf
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Número de pieza del fabricante S29WS512R0SBHW200E
Número de parte futuro FT-S29WS512R0SBHW200E
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie WS-R
S29WS512R0SBHW200E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tamaño de la memoria 512Mb (32M x 16)
Frecuencia de reloj 104MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 60ns
Tiempo de acceso 80ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 84-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 84-FBGA (11.6x8)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
S29WS512R0SBHW200E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto S29WS512R0SBHW200E-FT

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