casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29VS256RABBHI000
Número de pieza del fabricante | S29VS256RABBHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S29VS256RABBHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS256RABBHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 80ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-FBGA (7.5x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256RABBHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29VS256RABBHI000-FT |
S25FL127SABNFV100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI101
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel