casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29VS128RABBHI010
Número de pieza del fabricante | S29VS128RABBHI010 |
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Número de parte futuro | FT-S29VS128RABBHI010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS128RABBHI010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 80ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-FBGA (7.5x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS128RABBHI010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29VS128RABBHI010-FT |
S25FL064LABNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFV100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel