casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29VS064RABBHI000
Número de pieza del fabricante | S29VS064RABBHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S29VS064RABBHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS064RABBHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 80ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-FBGA (7.5x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS064RABBHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29VS064RABBHI000-FT |
S25FL128LAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FL116K0XNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel