casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29VS064RABBHI000
Número de pieza del fabricante | S29VS064RABBHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S29VS064RABBHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS064RABBHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 80ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-FBGA (7.5x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS064RABBHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29VS064RABBHI000-FT |
S25FL128LAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FL116K0XNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel