casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512T13TFNV10
Número de pieza del fabricante | S29GL512T13TFNV10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512T13TFNV10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL512T13TFNV10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 130ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512T13TFNV10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512T13TFNV10-FT |
S29GL256S11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S11TFV010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S11TFV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFA010
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S29GL256S90TFA020
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S29GL256S90TFA023
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S29GL256S90TFI013
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S29GL256S90TFI023
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S29GL064S70TFA010
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S29GL064S70TFA030
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