casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512S12TFBV10
Número de pieza del fabricante | S29GL512S12TFBV10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512S12TFBV10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S12TFBV10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S12TFBV10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512S12TFBV10-FT |
S29GL01GS11TFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S80TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11TFI010
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S29GL01GS11TFI010
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S29GL256P90TFCR20
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S29GL512T10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
EPF10K30ATI144-3N
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A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel