casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512S11WEIV19
Número de pieza del fabricante | S29GL512S11WEIV19 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512S11WEIV19 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S11WEIV19 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11WEIV19 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512S11WEIV19-FT |
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
70V3599S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc
NSEC53K004-IT
Insignis Technology Corporation
TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
70T3599S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel