casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512S11DHV023
Número de pieza del fabricante | S29GL512S11DHV023 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512S11DHV023 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S11DHV023 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11DHV023 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512S11DHV023-FT |
S25FL256LAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFN010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFN011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFN013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFV011
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel