casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512S10FHSS30
Número de pieza del fabricante | S29GL512S10FHSS30 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512S10FHSS30 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10FHSS30 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-Fortified BGA (13x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10FHSS30 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512S10FHSS30-FT |
S25FS256SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFB000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel