casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL256S11DHIV10
Número de pieza del fabricante | S29GL256S11DHIV10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL256S11DHIV10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S11DHIV10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S11DHIV10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL256S11DHIV10-FT |
S29CD016J0PQAM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM113
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel