casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL256S10WEI019
Número de pieza del fabricante | S29GL256S10WEI019 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL256S10WEI019 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S10WEI019 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Wafer |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10WEI019 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL256S10WEI019-FT |
AT45DB641E-CCUN2B-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUD-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUF-T
Adesto Technologies
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel