casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29CD016J0JFAM010
Número de pieza del fabricante | S29CD016J0JFAM010 |
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Número de parte futuro | FT-S29CD016J0JFAM010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CD-J |
S29CD016J0JFAM010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 54ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.75V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-FBGA (13x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29CD016J0JFAM010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29CD016J0JFAM010-FT |
S26KS128SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDGBHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel