casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S27KL0641DABHI023
Número de pieza del fabricante | S27KL0641DABHI023 |
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Número de parte futuro | FT-S27KL0641DABHI023 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHI023 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 40ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHI023 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S27KL0641DABHI023-FT |
S25FL256SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPNFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPNFV000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S27KS0641DPBHV020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDGBHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL256SDABHI020
Cypress Semiconductor Corp