casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S26KS512SDGBHM030
Número de pieza del fabricante | S26KS512SDGBHM030 |
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Número de parte futuro | FT-S26KS512SDGBHM030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS |
S26KS512SDGBHM030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 96ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDGBHM030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S26KS512SDGBHM030-FT |
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSMFI010
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel