casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S26KL512SDABHV030
Número de pieza del fabricante | S26KL512SDABHV030 |
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Número de parte futuro | FT-S26KL512SDABHV030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHV030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 96ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHV030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S26KL512SDABHV030-FT |
S26KL256SDABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHA020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHN020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel