casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs / S2008F12
Número de pieza del fabricante | S2008F12 |
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Número de parte futuro | FT-S2008F12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2008F12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Voltaje - Estado apagado | 200V |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 1.5V |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 15mA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx.) | 1.6V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 8A |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | 30mA |
Estado actual de apagado (máx.) | 10µA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo SCR | Standard Recovery |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-202 Long Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-202 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S2008F12-FT |
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMABK1H40C2LN
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23C8N
Intel