casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S1MHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | S1MHE3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-S1MHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
S1MHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.8µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1MHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1MHE3_A/H-FT |
VSSAF5M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel