Número de pieza del fabricante | S1M-JR3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S1M-JR3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M-JR3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-JR3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1M-JR3-FT |
SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel