casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S1J-KR2G
Número de pieza del fabricante | S1J-KR2G |
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Número de parte futuro | FT-S1J-KR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1J-KR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-KR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1J-KR2G-FT |
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA M2G
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S2BA R3G
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S2DA M2G
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Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
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LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
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5SGSMD4K3F40I3N
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5SGSED6N2F45C2N
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LFE2M100SE-5FN900I
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5AGXBB7D4F35C4N
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