Número de pieza del fabricante | S1B R3G |
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Número de parte futuro | FT-S1B R3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1B R3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1B R3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1B R3G-FT |
RSFMLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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