Número de pieza del fabricante | S1BHM2G |
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Número de parte futuro | FT-S1BHM2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1BHM2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1BHM2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1BHM2G-FT |
ESH1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MA R3G
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RS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GAHR3G
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SK34A R3G
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SK36A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U50 E3G
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel