Número de pieza del fabricante | S1B-LTP |
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Número de parte futuro | FT-S1B-LTP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1B-LTP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA, HSMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1B-LTP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1B-LTP-FT |
DR754-TP
Micro Commercial Co
ES1CE-TP
Micro Commercial Co
ESH1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
F1T4G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T5GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T6G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR10G-TP
Micro Commercial Co
FRA807G-BP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel