Número de pieza del fabricante | S150JR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S150JR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S150JR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 150A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AA, DO-8, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S150JR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S150JR-FT |
MBR6030
GeneSiC Semiconductor
MBR6030R
GeneSiC Semiconductor
MBR6035
GeneSiC Semiconductor
MBR6035R
GeneSiC Semiconductor
MBR6040
GeneSiC Semiconductor
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor
MBR6045
GeneSiC Semiconductor
MBR6045R
GeneSiC Semiconductor
MBR6060
GeneSiC Semiconductor
MBR6060R
GeneSiC Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel