Número de pieza del fabricante | RX 10Z |
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Número de parte futuro | FT-RX 10Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RX 10Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 980mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RX 10Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RX 10Z-FT |
RM1800E-TP
Micro Commercial Co
RM25HG-24S
Powerex Inc.
RM35HG-34S
Powerex Inc.
RM400HA-34S
Powerex Inc.
RM50HG-12S
Powerex Inc.
RN 1Z
Sanken
RN 1ZV
Sanken
RN 2Z
Sanken
RN 2ZV
Sanken
RO 2
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel