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Número de pieza del fabricante | RW3R0DB1R00JET |
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Número de parte futuro | FT-RW3R0DB1R00JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW3R0DB1R00JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 6327 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DB1R00JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW3R0DB1R00JET-FT |
TDH35P75R0JE
Ohmite
TDH35PR150JE
Ohmite
TDH35PR250JE
Ohmite
TDH35PR300JE
Ohmite
TDH35PR470JE
Ohmite
TDH35P100RJ
Ohmite
TDH35P10R0J
Ohmite
TDH35P150RJ
Ohmite
TDH35P15R0J
Ohmite
TDH35P1K00J
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel