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Número de pieza del fabricante | RW2S0CBR010JET |
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Número de parte futuro | FT-RW2S0CBR010JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2S0CBR010JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4122 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamaño / Dimensión | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.227" (5.77mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR010JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2S0CBR010JET-FT |
RW3R5EAR020JET
Ohmite
RW3R5EAR020JT
Ohmite
RW3R5EAR025J
Ohmite
RW3R5EAR025JE
Ohmite
RW3R5EAR025JET
Ohmite
RW3R5EAR025JT
Ohmite
RW3R5EAR030J
Ohmite
RW3R5EAR030JE
Ohmite
RW3R5EAR030JET
Ohmite
RW3R5EAR036JE
Ohmite
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel