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Número de pieza del fabricante | RW2R0DAR470JET |
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Número de parte futuro | FT-RW2R0DAR470JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR470JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 470 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4524 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR470JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2R0DAR470JET-FT |
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
RW3R0DBR100JE
Ohmite
RW3R0DB100RJT
Ohmite
RW3R0DB10R0J
Ohmite
RW3R0DB10R0JT
Ohmite
RW3R0DB15R0J
Ohmite
RW3R0DB15R0JT
Ohmite
RW3R0DB1R00JT
Ohmite
RW3R0DB24R0JT
Ohmite
XC3S400-5FGG320C
Xilinx Inc.
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-VQG100T
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
LFXP2-30E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CB121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C7
Intel