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Número de pieza del fabricante | RW2R0DAR470JET |
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Número de parte futuro | FT-RW2R0DAR470JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR470JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 470 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4524 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR470JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2R0DAR470JET-FT |
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
RW3R0DBR100JE
Ohmite
RW3R0DB100RJT
Ohmite
RW3R0DB10R0J
Ohmite
RW3R0DB10R0JT
Ohmite
RW3R0DB15R0J
Ohmite
RW3R0DB15R0JT
Ohmite
RW3R0DB1R00JT
Ohmite
RW3R0DB24R0JT
Ohmite
XCV800-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I6G
Intel
10AX032H4F35I3SG
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115R2F40I1SG
Intel
EP1C20F324C8N
Intel