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Número de pieza del fabricante | RW2R0DAR050FET |
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Número de parte futuro | FT-RW2R0DAR050FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR050FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 50 mOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4524 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR050FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2R0DAR050FET-FT |
RW3R0DBR005JE
Ohmite
RW3R0DB47R0JE
Ohmite
RW3R0DBR050JE
Ohmite
RW3R0DB68R0JE
Ohmite
RW3R0DB100RJ
Ohmite
RW3R0DB100RJE
Ohmite
RW3R0DB150RJ
Ohmite
RW3R0DB150RJE
Ohmite
RW3R0DB150RJET
Ohmite
RW3R0DB150RJT
Ohmite
EX128-TQG100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCVU3P-L2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6
Intel
5SGXEA7H3F35C2L
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation