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Número de pieza del fabricante | RW2R0DAR025JET |
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Número de parte futuro | FT-RW2R0DAR025JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR025JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 25 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4524 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR025JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2R0DAR025JET-FT |
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
RW3R0DBR050J
Ohmite
RW3R0DBR050JET
Ohmite
RW3R0DBR050JT
Ohmite
RW3R0DBR075J
Ohmite
RW3R0DBR100JET
Ohmite
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
XC4025E-4HQ304C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
EP3SE260H780C2
Intel
10AX022E4F29I3SG
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45E2SG
Intel