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Número de pieza del fabricante | RW2R0DAR010JET |
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Número de parte futuro | FT-RW2R0DAR010JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR010JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 4524 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamaño / Dimensión | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR010JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW2R0DAR010JET-FT |
RW3R0DBR005J
Ohmite
RW3R0DBR005JET
Ohmite
RW3R0DBR005JT
Ohmite
RW3R0DBR010JET
Ohmite
RW3R0DBR015JE
Ohmite
RW3R0DBR015JET
Ohmite
RW3R0DBR025J
Ohmite
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
LCMXO3L-6900C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1S80F1508C6
Intel
EP4SGX110DF29C2XN
Intel