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Número de pieza del fabricante | RW1S0BAR360JET |
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Número de parte futuro | FT-RW1S0BAR360JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR360JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 360 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 2512 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamaño / Dimensión | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR360JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW1S0BAR360JET-FT |
RW1S5CAR010J
Ohmite
RW1S5CAR010JT
Ohmite
RW1S5CAR015J
Ohmite
RW1S5CAR015JT
Ohmite
RW1S5CAR030J
Ohmite
RW1S5CAR030JT
Ohmite
RW1S5CAR040JT
Ohmite
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
APA075-TQG144I
Microsemi Corporation
XC7K325T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEABN2F45I2
Intel
XC5VFX70T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation