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Número de pieza del fabricante | RW1S0BAR100FET |
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Número de parte futuro | FT-RW1S0BAR100FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR100FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 mOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 2512 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamaño / Dimensión | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR100FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW1S0BAR100FET-FT |
RW1S5CAR080JT
Ohmite
RW1S5CAR100JE
Ohmite
RW1S5CAR100JET
Ohmite
RW1S5CAR100JT
Ohmite
RW1S5CAR150JE
Ohmite
RW1S5CAR150JET
Ohmite
RW1S5CAR200JE
Ohmite
RW1S5CAR200JET
Ohmite
RW1S5CAR500JE
Ohmite
RW1S5CAR500JET
Ohmite
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel