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Número de pieza del fabricante | RW1S0BAR010JET |
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Número de parte futuro | FT-RW1S0BAR010JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR010JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 2512 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamaño / Dimensión | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW1S0BAR010JET-FT |
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
XC3S400A-4FG400C
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F256C7ES
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29C8L
Intel