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Número de pieza del fabricante | RW1S0BAR010JET |
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Número de parte futuro | FT-RW1S0BAR010JET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR010JET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 2512 J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamaño / Dimensión | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010JET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW1S0BAR010JET-FT |
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XCKU15P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQG100C
Xilinx Inc.
EP3C16F484C6
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
5SEEBH40I2LN
Intel
M2GL090TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel