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RW1C026ZPT2CR Image

Rohm Semiconductor RW1C026ZPT2CR

Número de pieza de MFG
RW1C026ZPT2CR
Cantidad disponible
98010 Piezas
Precio de referencia
USD 0.067592
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-RW1C026ZPT2CR
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RW1C026ZPT2CR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1250pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WEMT
Paquete / Caja SOT-563, SOT-666
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1C026ZPT2CR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RW1C026ZPT2CR-FT

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