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Número de pieza del fabricante | RW0S6BB10R0FET |
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Número de parte futuro | FT-RW0S6BB10R0FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BB10R0FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 0.6W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | 2010 (5025 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2010 |
Tamaño / Dimensión | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.140" (3.55mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BB10R0FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RW0S6BB10R0FET-FT |
HVF1206T1004FE
Ohmite
HVF1206T1007JE
Ohmite
HVF1206T1008JE
Ohmite
HVF1206T2004FE
Ohmite
HVF1206T2503FE
Ohmite
HVF1206T5002FE
Ohmite
HVF1206T5003FE
Ohmite
HVF1206T5004FE
Ohmite
HVF1206T7502FE
Ohmite
HVF1206T7504FE
Ohmite
EX128-TQG100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCVU3P-L2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6
Intel
5SGXEA7H3F35C2L
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation