casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RV2C014BCT2CL
Número de pieza del fabricante | RV2C014BCT2CL |
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Número de parte futuro | FT-RV2C014BCT2CL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RV2C014BCT2CL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 700mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 100pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 400mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1006-3 |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RV2C014BCT2CL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RV2C014BCT2CL-FT |
RSU002P03T106
Rohm Semiconductor
RHU002N06T106
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RJU002N06T106
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RHU003N03T106
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5SGSED8N2F45I2
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