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Rohm Semiconductor RUS100N02TB

Número de pieza de MFG
RUS100N02TB
Cantidad disponible
55480 Piezas
Precio de referencia
USD 0.674688
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RUS100N02TB Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2250pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RUS100N02TB Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RUS100N02TB-FT

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