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Rohm Semiconductor RUL035N02FRATR

Name: RUL035N02FRATR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUL035N02FRATR
Price: 0.12028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (693 reviews)

Número de pieza de MFG: RUL035N02FRATR

Cantidad disponible: 37760 Piezas

Precio de referencia: USD 0.12028

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RUL035N02FRATR.pdf

RUL035N02FRATR Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RUL035N02FRATR
Número de parte futuro	FT-RUL035N02FRATR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
RUL035N02FRATR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	460pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TUMT6
Paquete / Caja	6-SMD, Flat Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RUL035N02FRATR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RUL035N02FRATR-FT

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