casa / productos / Resistencias / Resistor de viruta - Montaje en superficie / RU3225JR018CS
Número de pieza del fabricante | RU3225JR018CS |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RU3225JR018CS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RU |
RU3225JR018CS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 18 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 0.667W, 2/3W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | Current Sense, Moisture Resistant |
Coeficiente de temperatura | ±500ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.100" W (3.20mm x 2.55mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.71mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU3225JR018CS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RU3225JR018CS-FT |
RU2012JR016CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR018CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR020CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR022CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR024CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR027CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR030CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR033CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR036CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012JR039CS
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10M04SCM153I7G
Intel