Número de pieza del fabricante | RU 2BV1 |
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Número de parte futuro | FT-RU 2BV1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RU 2BV1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 2BV1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RU 2BV1-FT |
RM 10V
Sanken
RM 10Z
Sanken
RM 10ZV
Sanken
RM 10ZV1
Sanken
RM 11A
Sanken
RM 11AV
Sanken
RM 11AV1
Sanken
RM 11B
Sanken
RM 11BV
Sanken
RM 11BV1
Sanken
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel