Número de pieza del fabricante | RU 1P |
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Número de parte futuro | FT-RU 1P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RU 1P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 400mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 4V @ 400mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 100ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 1P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RU 1P-FT |
RL107-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL107-TP
Micro Commercial Co
RM 1
Sanken
RM 10
Sanken
RM 10A
Sanken
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel