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Rohm Semiconductor RT1C060UNTR

Número de pieza de MFG
RT1C060UNTR
Cantidad disponible
61360 Piezas
Precio de referencia
USD 0.11904
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Fecha de envío
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RT1C060UNTR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 870pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSST
Paquete / Caja 8-SMD, Flat Lead
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RT1C060UNTR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RT1C060UNTR-FT

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