casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RT1A050ZPTR
Número de pieza del fabricante | RT1A050ZPTR |
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Número de parte futuro | FT-RT1A050ZPTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RT1A050ZPTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 600mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSST |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RT1A050ZPTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RT1A050ZPTR-FT |
MCH3376-TL-E
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MCH3382-TL-H
ON Semiconductor
MCH3382-TL-W
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