casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RSFDLHM2G
Número de pieza del fabricante | RSFDLHM2G |
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Número de parte futuro | FT-RSFDLHM2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RSFDLHM2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 500mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFDLHM2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RSFDLHM2G-FT |
RS1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL RHG
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RS1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLHMQG
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Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLHRHG
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XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
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APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEA7K2F35I2LN
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Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
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