casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RS2GHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | RS2GHE3_A/H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RS2GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS2GHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RS2GHE3_A/H-FT |
US1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel