casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / RR02J3R3TB
Número de pieza del fabricante | RR02J3R3TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RR02J3R3TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR02J3R3TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 3.3 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 235°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02J3R3TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RR02J3R3TB-FT |
RR01J36RTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J36RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J36RTB
TE Connectivity Passive Product
RGP0207CHJ33M
TE Connectivity Passive Product
CBT25J33K
TE Connectivity Passive Product
CBT50J33K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ33K
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ33K
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ33K
TE Connectivity Passive Product
RR01J33KTB
TE Connectivity Passive Product
LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel