casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ1A070APTR
Número de pieza del fabricante | RQ1A070APTR |
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Número de parte futuro | FT-RQ1A070APTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ1A070APTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7800pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 550mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT8 |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ1A070APTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQ1A070APTR-FT |
MCH3478-TL-H
ON Semiconductor
MCH3479-TL-H
ON Semiconductor
MCH3481-TL-H
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MCH3484-TL-H
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
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EP20K60EQC208-1
Intel